търсене на книга
книги
Направете дарение
Впиши се
Впиши се
оторизираните потребители имат достъп до:
лични препоръки
Телеграм бот
хронология на изтеглянията
изпрати до Email или Kindle
управление на колекцията
запазване в любими
Лично
Заявки за книги
Изучаване
Z-Recommend
Списъци с книги
Най-популярни
Категории
Участие
Направете дарение
Качвания
Litera Library
Дарете хартиени книги
Добавяне на хартиени книги
Search paper books
Моят LITERA Point
Търсене на термини
Main
Търсене на термини
search
1
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si
Филатов Д.О.
,
Исаков М.А.
,
Круглова М.В.
gesi
островков
рис
роста
phys
наноостровков
методом
области
слоя
носителей
основе
поверхности
наноостровками
состояний
спектра
энергии
островках
фпэ
дырок
млэ
appl
гетероструктур
структур
электронов
подложки
dge
geh4
островки
типа
плотность
спектров
структуры
связи
островками
шоттки
зависимость
поглощения
процессе
gexsi1
проводимости
барьера
гфэ
зависимости
переходов
спектры
дислокаций
зоне
оптических
островка
слое
Език:
russian
Файл:
PDF, 3.79 MB
Вашите тагове:
0
/
0
russian
2
Инсулин и радиация
Издательский дом "Белорусская наука"
Гацко Г.Г.
,
Милевич Т.И.
облучения
инсулина
крыс
мес
крови
животных
железы
поджелудочной
глюкозы
дозе
облученных
клеток
сут
содержание
организма
введения
гормона
стрептозотоцина
воздействия
инсулин
облучение
уровня
интактные
изменения
островков
стрептозотоцин
облученные
сроки
сутки
ммоль
функции
лучевой
островках
уровень
влияние
диабета
печени
эффект
контроль
ткани
концентрации
концентрация
лучевого
организме
состояние
действия
радиации
снижение
активности
секреции
Година:
2014
Език:
russian
Файл:
PDF, 1.20 MB
Вашите тагове:
0
/
0
russian, 2014
3
Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии
Лобанов Д.Н.
,
Новиков А.В.
,
Шалеев М.В.
роста
островков
поверхности
напряжений
упругих
пленки
энергии
происходит
рис
подложки
счет
островка
приводит
температуры
поверхностной
материала
островки
камеры
релаксация
релаксации
димеров
крастанова
механизму
странского
температурах
увеличение
образование
осаждения
системы
слоя
уменьшению
носителей
образования
параметров
пленке
результате
gexsi1
зависимости
заряда
самоформирующихся
структур
типа
увеличением
уменьшение
gesi
атомов
дивакансий
количества
островках
плотности
Език:
russian
Файл:
PDF, 421 KB
Вашите тагове:
0
/
0
russian
1
Следвайте
тази връзка
или потърсете бот „@BotFather“ в Telegram
2
Изпратете команда /newbot
3
Въведете име за вашия бот
4
Въведете потребителско име за бота
5
Копирайте последното съобщение от BotFather и го поставете тук
×
×