търсене на книга
книги
Направете дарение
Впиши се
Впиши се
оторизираните потребители имат достъп до:
лични препоръки
Телеграм бот
хронология на изтеглянията
изпрати до Email или Kindle
управление на колекцията
запазване в любими
Лично
Заявки за книги
Изучаване
Z-Recommend
Списъци с книги
Най-популярни
Категории
Участие
Направете дарение
Качвания
Litera Library
Дарете хартиени книги
Добавяне на хартиени книги
Search paper books
Моят LITERA Point
Търсене на термини
Main
Търсене на термини
search
1
Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии
Лобанов Д.Н.
,
Новиков А.В.
,
Шалеев М.В.
роста
островков
поверхности
напряжений
упругих
пленки
энергии
происходит
рис
подложки
счет
островка
приводит
температуры
поверхностной
материала
островки
камеры
релаксация
релаксации
димеров
крастанова
механизму
странского
температурах
увеличение
образование
осаждения
системы
слоя
уменьшению
носителей
образования
параметров
пленке
результате
gexsi1
зависимости
заряда
самоформирующихся
структур
типа
увеличением
уменьшение
gesi
атомов
дивакансий
количества
островках
плотности
Език:
russian
Файл:
PDF, 421 KB
Вашите тагове:
0
/
0
russian
2
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
ЭБС Лань
Байдусь Н.В.
,
Звонков Б.Н.
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
Година:
2001
Език:
russian
Файл:
PDF, 503 KB
Вашите тагове:
0
/
4.5
russian, 2001
3
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
ЭБС Лань
Коллектив авторов
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
Година:
2001
Език:
russian
Файл:
PDF, 503 KB
Вашите тагове:
0
/
5.0
russian, 2001
4
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Байдусь Н.В.
,
Звонков Б.Н.
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
Година:
2001
Език:
russian
Файл:
PDF, 505 KB
Вашите тагове:
0
/
0
russian, 2001
1
Следвайте
тази връзка
или потърсете бот „@BotFather“ в Telegram
2
Изпратете команда /newbot
3
Въведете име за вашия бот
4
Въведете потребителско име за бота
5
Копирайте последното съобщение от BotFather и го поставете тук
×
×